Die TVS-Diode DF2B6M4BSL zeigt eine sehr schnelle Reaktion bei der Unterdrückung hoher Spannungsspitzen, ohne die ursprüngliche Datensignalqualität zu beeinträchtigen

Die TVS-Diode DF2B6M4BSL zeigt eine sehr schnelle Reaktion bei der Unterdrückung hoher Spannungsspitzen, ohne die ursprüngliche Datensignalqualität zu beeinträchtigen. (Bild: Toshiba)

Toshiba bietet eine neue TVS-Diode DF2B6M4BSL mit einer Gesamtkapazität von 0,12 pF (max. 0,15 pF) an, was nach Herstellerangaben dem niedrigsten Wert aller Toshiba-Dioden dieser Art entspricht. Sie zeigt eine sehr schnelle Reaktion bei der Unterdrückung hoher Spannungsspitzen, ohne die ursprüngliche Datensignalqualität zu beeinträchtigen. Wird die TVS-Diode bei 5 GHz mit einem 20-dBm-Eingang verwendet, beträgt die zweite Harmonische -64,7 dB und die dritte -55,5 dB. Damit eignet sich die Diode zum ESD-Schutz von HF-Antennen.

Mit der Diode lassen sich Elektronikbauelemente wie Halbleiter vor statischer Elektrizität und Rauschen schützen sowie eine schlechtere Signalqualität in Hochfrequenzantennen für Elektronikgeräte vermeiden. Als solches lässt die TVS-Diode in einer Vielzahl von Anwendungen einsetzen, einschließlich Mobilgeräte.

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