United-SiC entwickelt SiC-FETs mit einem RDS(on) unter 10 Milliohm

Einer der vier vorgestellten SiC-FET-Bausteine (UF3C) besitzt bei 650 V Nennspannung einen R_DS(on) von 7 mΩ, die drei anderen FETs zählen (bei 1200 V Nennspannung) mit zu den Bausteinen der 9- und 16-mΩ-Reihe. Alle Bausteine sind in einem TO247-Gehäuse untergebracht.

Der UF3SC065007K4S hat eine maximale Betriebsspannung von 650 V, einen Drainstrom von bis zu 120 A und einen R_DS(on) von 6,7 mΩ. Der UF3SC120009K4S besitzt eine maximale Betriebsspannung von 1200 V, einen Drainstrom von bis zu 120 A und einen R_DS(on) von 8,6 mΩ. Beide sind in einem vierpoligen Kelvin-Gehäuse erhältlich, das für eine sauberere Ansteuerkennlinie sorgt.

Für Designs mit geringerem Energieverbrauch sind zwei SiC-FETs mit maximalen Betriebsspannungen von 1200 V, Drainströmen von bis 77 A und einem R_DS(on) von 16 mΩ verfügbar. Der UF3SC120016K3S hat ein Gehäuse mit drei Anschlüssen, während der UF3SC120016K4S in einem Gehäuse mit vier Anschlüssen verfügbar ist.

Diese SiC-FETs vereinen einen SiC-JFET der dritten Generation und einen durch Kaskodenschaltung optimierten Si-MOSFET und lassen sich mit den gleichen Gatespannungen wie Si-IGBTs, Si-MOSFETs und SiC-MOSFETs betreiben. Die niedrige R_DS(on)-Charakteristik dieser Bauelemente ermöglicht es, bei Wechselrichterentwicklungen Wirkungsgrade von mehr als 99 Prozent zu erreichen. Dazu trägt die Reverse-Recovery-Performance ebenso wie der geringe Leitungsverlust im Leerlauf bei.

Wegen der geringen Leitungsverluste lassen sich die Bausteine außerdem als Halbleiter-Leistungsschalter und Batterietrennschalter in EVs einsetzen.

(aok)