Die X-GaN-Leistungstransistoren von Panasonic ermöglichen den Normal-Aus-Betrieb bei sehr hohen Schaltfrequenzen.

Die X-GaN-Leistungstransistoren von Panasonic ermöglichen den Normal-Aus-Betrieb bei sehr hohen Schaltfrequenzen. (Bild: Panasonic)

X-GaN-Leistungsmodule sind selbstsperrend, gegen Stromzusammenbrüche abgesichert und durch einen ohmschen Gate-Kontakt vor Gate-Ausfällen geschützt. All diese Faktoren verbessern die Zuverlässigkeit und die Robustheit der jeweiligen Anwendung deutlich. Die Transistoren PGA26E07BA und PGA26E19BA sind Leistungsbauteile, die auf der GiT-Technologie (Gate Injection Transistors) basieren. Sie liefern einen Normal-Aus-Betrieb mit sehr schnellen Schalteigenschaften und ohne Wiederherstellungsverlust. PGA26E07BA besitzt einen Einschaltwiderstand von 56 mΩ mit einem Drainstrom von 26 A, PGA26E19BA liegt bei 140 mΩ mit einem Drainstrom von 13 A.

Die kompakten GaN-Leistungsmodule mit geringer Wärmeentwicklung kommen unter anderem in Stromversorgungen, Hybrid- und Elektrofahrzeugen, Photovoltaik-Wechselrichtern zum Einsatz. Für die Systementwicklung stellt Panasonic Evaluationsboards zur Verfügung, die schnelles System-Prototyping und Bauteil-Auswertung sowie Projektentwicklung ermöglichen. Das X-GaN-Chopper- und das Halbbrücken-Evaluationsboard bewertet die Schalteigenschaften des GaN-Leistungstransistors während des Ein- und Ausschaltens und lässt sich für eine Flyback-Topologie für die Auswertung von Netzteilen konfigurieren. Beide verfügen über einen dedizierten X-GaN-Treiber des Typs AN34092B und erlauben eine maximale Eingangsspannung von 410 VDC.

(na)

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