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EcoGaN-Bauelemente tragen zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. (Bild: Rohm)

Der Halbleiterhersteller Rohm und der Stromversorgungshersteller Delta Electronics sind eine strategische Partnerschaft eingegangen, um Galliumnitrid-Bauelemente (GaN) der nächsten Generation zu entwickeln und in Serie zu produzieren. Die Bauelemente mit einer Durchbruchspannung von 600 V sind für ein breites Spektrum an Stromversorgungssystemen vorgesehen.

Rohm hat bereits im März 2022 ein Massenproduktionssystem für 150-V-GaN-HEMTs mit einer 8-V-Gate-Durchbruchspannung eingeführt. Jetzt erweitert das Unternehmen die neue EcoGaN-Produktreihe für Stromkreise in IoT-Kommunikations- und Industrieanlagen wie Basisstationen oder Rechenzentren und verbessert gleichzeitig die Leistung der Geräte. EcoGaN-Bauelemente bieten den niedrigen Einschaltwiderstand und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN und tragen damit zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. Ziel ist es, den Stromverbrauch der Anwendung zu reduzieren, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu verringern.

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Rohm Semiconductor GmbH

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