Die Zweite Generation SiC-MOSFETs und Hybrid-MOSFETs.Rohm Semiconductor
Mehrere Typen mit unterschiedlichen On-Widerständen und Maximalströmen im TO247-Gehäuse umfasst die Serie SCT2xx ohne Schottkydiode. Durch ihren niedrigen On-Widerstand, die hohe Durchbruchspannung, hohe Schaltgeschwindigkeit und die kurze Sperrverzögerungszeit lassen sich diese MOSFETs einfach parallel schalten und ansteuern. Deshalb eignen sie sich sehr gut für PV-Wechselrichter, Gleichspannungswandler, Schaltnetzteile, Induktionswärme-Systeme und Motortreiber.
Die Vorteile von MOSFET und IGBT vereint der Hybrid-MOS-Transistor. Mit ihrer neuen Struktur bieten sich die Bausteine für die Leistungsfaktor-Korrekturschaltung von Netzteilen an. Kennzeichnend für den Hybrid-MOSFET ist, dass er vom MOSFET die schnellen Schalteigenschaften und die gute Leistungsfähigkeit bei niedrigen Stromstärken bezieht und vom IGBT die hohe Durchbruchspannung. Die Eigenschaften bei hohen Temperaturen und hohen Stromstärken wurden deshalb deutlich verbessert, gepaart mit einer Energieersparnis über den gesamten Bereich von niedrigen bis zu hohen Strömen. Die Bemusterung dieses Produkts beginnt voraussichtlich im Sommer 2013.
(ah)
