Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies haben bei ihren Leistungs-MOSFETs in MLP 3×3 (Power33T und S3O8) und PowerStage 3×3 Gehäuse eine Zusammenarbeit im Bereich der Gehäusetechnologie vereinbart.

Die Kompatibilitätsvereinbarung soll eine höhere Versorgungssicherheit gewährleisten und zudem DC/DC-Wandler mit höchstem Wirkungsgrad und thermischer Leistungsfähigkeit ermöglichen. Die beiden Unternehmen profitieren dabei von ihren Erfahrungen bei asymmetrischen, zweifachen und einzelnen MOSFETs für DC/DC-Anwendungen von 3A bis 20A.

„Fairchild und Infineon haben das Pin-out standardisiert und die jeweiligen Leistungsstufen ergänzt, so dass für energieeffiziente Designs in Computer-, Telekommunikations- und Server-Anwendungen nun zwei Bezugsquellen zur Verfügung stehen“, sagt John Bendel, Senior Vice President Low Voltage Products von Fairchild. „Durch diese Gehäuseanpassung sind die leistungsfähigen Produkte nun in einem Standardgehäuse von mehreren Anbietern erhältlich.“

„Die Standardisierung der Leistungsgehäuse bringt unseren Kunden den Vorteil, dass die Anzahl der „individuellen“ Gehäusetypen am Markt minimiert wird, wobei sich unsere Lösungen gegenüber den bisherigen Generationen durch eine höhere Leistung bei einem kleineren Formfaktor auszeichnen“, fügt Richard Kuncic, Director und Product Line Manager Low Voltage MOSFETs bei Infineon Technology, hinzu.