International Rectifier stellte jetzt den DirectFET-MOSFET-Chipsatz IRF6706S2PbF und IRF6798MPbF vor. Er vereint ultra-geringe Ladungs- und RDS(on)-Werte (von 1 mOhm) mit dem niedrigsten Gate-Widerstand Gate-Widerstand (Rg) von 0,25Ohm der Branche zur Minimierung von Leitungs- und Schaltverlusten und liefert einen erstklassigen Wirkungsgrad für synchrone 12-V-Buck-Schaltregleranwendungen, zu denen unter anderem Server, Desktop-PCs und Notebooks zählen.

Der 25-V-Chipsatz, kombiniert branchenweit an der Spitze liegende Gütefaktoren (FOM – Figure of Merit) mit den überlegenen Schalt- und thermischer Charakteristik des DirectFET-Gehäuses und bietet dadurch eine für hochfrequente (bis 100 MHz) DC/DC-Schaltapplikationen optimierte Lösung.

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