Vorteil: Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency, PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen – so der Hersteller – bedeutet das eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

Überzeugen mit Vorteilen, wie kleinen Maßen und hohem Leistungswirkungsgrad: Die GaN-HEMT-Produkte von Cree.

Überzeugen mit Vorteilen, wie kleinen Maßen und hohem Leistungswirkungsgrad: Die GaN-HEMT-Produkte von Cree.Cree

Die S-Band-Transistoren CGH31240F und CGH35240F sind intern auf 50 Ω abgestimmt und sind für eine Sättigungsausgangsleistung von 240 W im Bereich von 2,7 bis 3,1 GHz bzw. 3,1 bis 3,5 GHz bei einer Leistungsverstärkung von über 11 dB ausgelegt. Hinzu kommen ein kleiner Gehäuse-Footprint von 22,9 x 17,3 mm und ein Pulse-Droop-Wert von unter 0,2 dB. Zu verdanken ist das dem hohen Wirkungsgrad und den herausragenden thermischen Eigenschaften von GaN auf SiC im Vergleich zu anderen Technologien, wie Galliumarsenid und Silizium.

Bei dem CMPA2735075F handelt es sich um ein zweistufiges GaN HEMT High Power Amplifier-MMIC mit einer Sättigungsausgangsleistung von 75 W in einem Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz, einer Leistungsverstärkung von 20 dB und einem Gehäuse-Footprint von 12,7 x 12,7 mm. Nach Herstelleraussagen, ist er der erste S-Band GaN HEMT-MMIC-HPA auf dem Markt mit einem typischen Leistungswirkungsgrad von 60 % bei HF-Pulsweiten von 300 µs und 20 % Tastverhältnis.

„Unsere neuen GaN-HEMT-Bausteine für das S-Band eignen sich zum Einsatz in den unterschiedlichsten zivilen und militärischen Applikationen, von der Flugsicherung über Wetterradar bis zur Heimatverteidigung“, erklärt Jim Milligan, Director of RF bei Cree. Er ergänzt: „Da das Wärmemanagement ein wichtiger Faktor in Radarsystemen ist, schaffen wir mit den GaN-HEMT-Produkten die Voraussetzungen für hocheffiziente Lösungen, die durch geringere Verlustleistung, eine unkompliziertere Leistungsverteilung, weniger Platzbedarf und geringeres Gewicht gekennzeichnet sind.“