Die GaN-Produkte lassen sich besonders einfach in Systeme integrieren und ermöglichen die USB-Stromversorgung nach USB-3.0-Typ-C-Standard. Das Unternehmen zeigte den Einsatz der GaN-on-Silicon-Bauelemente in schnell schaltenden und besonders effizienten Ladegeräten mit 45 W bis 65 W. Hergestellt werden die Bauelemente auf Basis von 200-mm-GaN-on-Silicon-Wafern unter Verwendung der von Exagan entwickelten G-Stack-Technologie.

Zu Exagans strategischen Partnern gehören unter anderem X-FAB Silicon Foundries und das Forschungszentrum CEA-Leti für die 200-mm-GaN-Technologie.

Zu Exagans strategischen Partnern gehören unter anderem X-FAB Silicon Foundries und das Forschungszentrum CEA-Leti für die 200-mm-GaN-Technologie. Exagan

Die G-FET-Variante mit 650 V ist die erste Generation an Produkten für Consumer-, IT-, Automotive- und Photovoltaik-Anwendungen. Erhältlich ist zusätzlich eine 1200-V-Variante der Bausteine für effiziente Inverter und Wandler mit hohen Schaltgeschwindigkeiten in Industrial- und Automotive-Anwendungen. Zu Exagans strategischen Partnern gehören unter anderem X-FAB Silicon Foundries, das Forschungszentrum CEA-Leti für die 200-mm-Technologie und die TÜV-Nord-Gruppe für Tests bezüglich Qualität und Zuverlässigkeit.