Möglich macht diese Leistungssteigerung die von Power Integrations entwickelte Hochspannungs-GaN-Schaltertechnologie. Die quasi-resonant arbeitenden ICs Innoswitch3-CP, Innoswitch3-EP und Innoswitch3-Pro vereinen in einem einzigen SMD-Gehäuse die primären und sekundären Funktionsblöcke und den Regelkreis. Bei den neuen Typen ersetzen GaN-Schalter die herkömmlichen Silizium-Hochspannungstransistoren auf der Primärseite des ICs, das führt zu geringeren Durchlassverlusten im leitenden Zustand und zu wesentlich geringeren Schaltverlusten während des Schaltvorgangs. Durch die Reduktion der Energieverluste erhöht sich der Wirkungsgrad entsprechend, wodurch es möglich ist, aus dem platzsparenden Insop-24D-Gehäuse eine größere Ausgangsleistung herauszuholen.

Die ICs sind vorgesehen für Sperrwandlerschaltungen wie etwa in USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen/Netzadaptern für mobile Geräte, Set-Top-Boxen, Bildschirme, Haushaltsgeräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte.

Die ICs sind vorgesehen für Sperrwandlerschaltungen wie etwa in USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen/Netzadaptern für mobile Geräte, Set-Top-Boxen, Bildschirme, Haushaltsgeräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte. Power Integrations

Die Bauteile zeichnen sich durch eine hohe, von externen Bauteilen unabhängige CV/CC/CP-Genauigkeit aus und lassen sich problemlos mit Controller-ICs für Schnellladeprotokolle kombinieren. Die InnoSwitch3-CP- und EP-Versionen sind hardware-konfigurierbar. Dahingegen sind bei der Innoswitch3-Pro-Version hingegen alle Funktionen über eine integrierte Digitalschnittstelle per Software konfigurierbar. Auf der Website von Power Integrations finden sich fünf neue Referenzdesigns für USB-PD-Ladeschaltungen mit Leistungen von 60 W bis 100 W, außerdem das Design-Tool PI-Expert für computerunterstützten Entwurf sowie weitere technische Dokumente für Entwickler.