Für einige Anwendungen ist dabei eine gezielte Steuerung der Ausbreitungsrichtung der THz-Felder notwendig. Dies wurde bislang beispielsweise über die mechanische Bewegung der THz-Quellen oder der zu untersuchenden Proben realisiert. Da mechanische Bewegungen jedoch auf Geschwindigkeit, Verlässlichkeit und Stabilität der Anwendungen negative Auswirkungen haben können, erweist sich die Entdeckung aus der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt (PTB) als bedeutende Verbesserung: die Erzeugung von THz-Feldern, deren Ausbreitungsrichtung allein durch die Polarisationseigenschaften des zur Erzeugung genutzten Laserlichts beeinflusst werden kann. Die Ergebnisse der Forscher sind in der aktuellen Ausgabe der renommierten Fachzeitschrift Applied Physics Letters veröffentlicht.

Gezielte Laseranregung von Galliumarsenid (GaAs) führt zu unterschiedlichen Stromflüssen (JP, JS) im Halbleiter.

Gezielte Laseranregung von Galliumarsenid (GaAs) führt zu unterschiedlichen Stromflüssen (JP, JS) im Halbleiter.PTB

Körperscanner, industrielle Fertigungsüberwachung, spektroskopische Sicherheitsprüfungen von Postsendungen oder zukünftige Kommunikationstechniken sind nur eine Auswahl von Anwendungsfeldern, die relative Bewegungen von THz-Quellen, THz-Detektoren oder Proben zueinander als zugrundeliegendes Funktionsprinzip voraussetzen. Hierbei kommen oftmals gepulste THz-Felder zum Einsatz, die sich durch Anregung von Halbleitern wie Galliumarsenid (GaAs) mittels gepulster Laserstrahlen erzeugen lassen. Für diesen Prozess werden Halbleitereigenschaften ausgenutzt, die aufgrund der optischen Anregung eine gerichtete Elektronenbewegung, das  heißt einen Stromfluss, bewirken. Diese sehr schnelle Bewegung der Elektronen führt zur Abstrahlung von elektromagnetischen Feldern im THz-Frequenzbereich.

Die Arbeiten der PTB-Forscher zeigen, dass räumlich lenkbare THz-Felder durch die Anregung unterschiedlicher Stromflussrichtungen im Halbleiter generiert werden können. In ihren Experimenten erzeugten die Wissenschaftler mithilfe ultrakurzer Laserpulse zwei unterschiedliche Ströme, die parallel beziehungsweise senkrecht zur Oberfläche des Halbleiters fließen. Die von beiden Strömen abgestrahlten THz-Felder bilden aufgrund ihrer Polarisationseigenschaften Bereiche der gegenseitigen Verstärkung oder Abschwächung. Aus diesen Interferenzeffekten resultiert eine gerichtete THz-Emission. Aufgrund der unterschiedlichen Entstehungsmechanismen der beiden Stromkomponenten kann das Interferenzfeld und somit die Richtung der THz-Emission kontrolliert werden. Hierbei kommt zum Tragen, dass sich die Flussrichtung des zur Oberfläche parallelen Stroms durch eine Veränderung der Polarisation des Laserpulses umkehren lässt. Die senkrechte Stromkomponente hingegen ist nicht polarisationsabhängig, ihre Flussrichtung bleibt unverändert. Auf diese Weise kehren sich die Bereiche der Verstärkung und der Abschwächung der elektromagnetischen Felder um; die THz-Quelle ändert ihre Abstrahlrichtung.

Durch Veränderung der Polarisation des Anregungslasers (Unterschied zwischen roten und blauen Daten) verschiebt sich die Lage der maximalen THz-Amplitude um 8°.

Durch Veränderung der Polarisation des Anregungslasers (Unterschied zwischen roten und blauen Daten) verschiebt sich die Lage der maximalen THz-Amplitude um 8°.PTB

In ersten Experimenten wurde eine Richtungsänderung der maximalen THz-Feldstärke von bis zu 8 Grad gemessen. Der Ablenkungswinkel hing dabei von unterschiedlichen Anregungsparametern ab und konnte gezielt eingestellt werden. Über ein theoretisches Modell ließen sich die dominierenden Einflussfaktoren genauer bestimmen und Optimierungsmöglichkeiten untersuchen. So kann der maximale Ablenkwinkel beispielsweise durch andere Halbleitermaterialsysteme, spezielle Siliziumlinsen oder externe Magnetfelder vergrößert werden.