Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion von 512-Mbit-PRAM begonnen (Phase Change Random Access Memory), und zwar in 60-nm-Technologie. Das PRAM kann 64 Kiloworte in 80 ms löschen und ist damit über zehn Mal schneller als Nor-Flash-Memory. In Datensegmenten von 5 Mbyte kann es Daten etwa sieben Mal schneller löschen und schreiben. Da die vereinfachte Logik für den Datenzugriff bei PRAM weniger Unterstützung durch DRAM benötigt, wird die aufgenommene Leistung effizient genutzt und die Batterielaufzeit von Handys um über 20 Prozent verlängert.
