Alle von Schukat ins Programm aufgenommenen Hochspannungs-MOSFETs (N-Kanal) von TSC sind für hohe Drain-Source-Spannungen von 500 V bis 900 V ausgelegt. Sie erlauben Drainströme bis zu 18 A. Die Bauteile sind in MOSFET-Gehäusen vom Typ TO251, TO220 und ITO220 untergebracht. Neben der weit verbreiteten Planar-Technologie setzt TSC zunehmend auf die Superjunction-Technologie (TSM60Nxx, TSM70Nxx und TSM80Nxx).

Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt.

Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt. Schukat

Diese Technologie ermöglicht schneller und effizienter schaltende MOSFETs mit verbessertem Sperrverhalten. Durch die Reduzierung des Einschalt-Widerstandes (RDS(on)) und der Gateladung (Qg) erhalten Superjunction-MOSFETs ein im Vergleich zur Planar-Technologie verbessertes FOM (Figure of Merit aus RDS(on) x Qg). Für den Anwender ergeben sich daraus geringere Leitungs- und Schaltverluste.