Mitsubishi stellte auf der PCIM 2008 Hochvolt-IGBT-Module der R-Serie vor, die für 1500 A bei 3,3 kV ausgelegt sind. In den Modulen kommen FP-LPT-HVIGBTs (Fine Planar MOSgate Light Punch Through HV-IGBTs) sowie SR-HVDi-Strukturen (Soft reverse Recovery HV-Diode) zum Einsatz, um die Gesamtverluste gegenüber dem Produktvorgänger zu senken und dabei gleichzeitig den Nennstrom zu erhöhen, während die mechanische Kompatibilität zur bereits existierenden H-Serie beibehalten wird.

Der neue IGBT verbessert den Kompromiss zwischen UCE(sat) und der Abschaltenergie um 25% ohne dabei Zugeständnisse in punkto Robustheit zu machen.

549ei0708