Die Semitop-IGBT-Produktreihe ist um ein Modul für 3-Level-Umrichter reicher. Mit der integrierten IGBT-Tecnologie lassen sich die Schalt- und Leitungsverluste verglichen mit 2-Level-Umrichtern um bis zu 60% minimieren. Weiterer Vorteil: eine hohe Einschaltentlastung durch niedrige Kommutierungsinduktivität. Die Module für die DC/AC-Umsetzung sind für USV-Systeme im Bereich von 5-80kVA ausgelegt. Die IGBT in einem 3-Level-Umrichter werden in Reihe geschaltet, was höhere Rückwärtssperrspannungen der Bausteine ermöglicht. Im Vergleich zu einem Stan-dard-2-Level-Halbbrückenumrichter ließ sich eine 25%-ige Einsparung bei Dimensionierung und Kosten erzielen.

VORTEIL Das Modul mit 3-Level-Umrichtern ist kosteneffektiv und platzsparend, ersetzt es doch 2 Halbbrücken der 2-Level-Architektur. Zudem lässt es sich schnell in komplexe Schaltungen integrieren.