Das Unternehmen bietet ein breites III-V-Prozesstechnologie-Portfolio an HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor), pHEMTs, BiHEMTs, integrierten passiven Bauelementen und Filtern auf GaAs-Basis, GaN-Power-HEMTs, SiC- und InP-DHBTs (Double Heterojunction Bipolar Transistor). Damit richtet sich das Unternehmen stark auf die Belieferung des Hochfrequenz-, Millimeterwellen-, Leistungs- und Optoelektronikmarkts aus.

Die III-V-Verbundhalbleiter-Foundry Sanan IC mit Firmensitz in Xiamen City ist eine Tochtergesellschaft des LED-Chipherstellers Sanan Optoelectronics.

Die III-V-Verbundhalbleiter-Foundry Sanan IC mit Firmensitz in Xiamen City ist eine Tochtergesellschaft des LED-Chipherstellers Sanan Optoelectronics. Sanan IC

Getrieben durch 5G im Mobilfunksektor, drahtlose Konnektivität im IoT und die Elektrifizierung des Antriebsstrangs in Fahrzeugen steigt die Nachfrage nach epitaktischen 6-Zoll-Substraten mit III-V-Verbundhalbleitern aktuell stark an. Hier sieht CEO Raymond Cai eine gute Chance für das Unternehmen, diesen kontinuierlich wachsenden Markt zu beliefern.

Gegründet wurde Sanan IC 2014 als Tochtergesellschaft von Sanan Optoelectronics, einem Hersteller von LED-Bauelementen auf Basis von GaAs- und GaN-Technologien. Firmensitz des Unternehmens ist Xiamen City in der südchinesischen Provinz Fujian.