Der 40-V-SD-MOSFET eigent sich für den Einsatz in Schaltnetzteilen im Bereich Server, Telekommunikation sowie für Anwendugnen im Bereich Batterieschautz, Elektrowerkzeuge und Ladegeräte. Im SD-Gehäuse ist der eigentliche Chip umgedreht, sodass anstelle des Drain-Potenzials das Source-Potenzial über das Themal-Pad mit der Leiterplatte verbunden ist. Im besten Fall führt dies laut Hersteller zu einer spürbaren Reduzierung des Einschaltwiderstands RDS(on) um bis zu 25 Prozent.

Beim Niederspannungs-Leistungs-MOSFET OptiMOS 40 V ist das Source-Potenzial über das Themal-Pad mit der Leiterplatte verbunden. Dies senkt den Einschaltwiderstand des Bausteins spürbar.

Beim Niederspannungs-Leistungs-MOSFET OptiMOS 40 V ist das Source-Potenzial über das Themal-Pad mit der Leiterplatte verbunden. Dies senkt den Einschaltwiderstand des Bausteins spürbar. Infineon

Auch der thermische Widerstand zwischen Junction to Case (RthJC) wird im Vergleich zum traditionellen PQFN-Gehäuse positiv beeinflusst. Der MOSFET ist in der Lage, hohen Dauerströmen von bis zu 194 A standzuhalten. Zusätzlich erlauben die verbesserten Layoutmöglichkeiten und die bessere Ausnutzung der Leiterplatte eine größere Designflexibilität bei gleichzeitig hoher Leistung. Erhältlich ist der OptiMOS 40 V in zwei Varianten: Standard und Center-Gate. Die Center-Gate-Variante ist für den Parallelbetrieb mehrerer Bausteine ausgelegt. Beide Varianten im sind ab sofort verfügbar.