Mit dem Silectra-proprietären Verfahren will Infineon die Anzahl der aus einem Wafer gewonnenen Chips verdoppeln. Der Münchner Konzern möchte auf diese Weise sein SiC-Portfolio ausbauen.„Die höhere Verfügbarkeit von SiC-Wafern dank der Cold Split-Technologie wird das Hochfahren unserer SiC-Produkte gerade mit Blick auf den weiteren Ausbau der erneuerbaren Energien und den zunehmenden Einsatz von SiC im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen deutlich erleichtern“, erläutert Infineon-Vorstandsvorsitzender Dr. Reinhard Ploss die Hintergründe der Akquise. Dr. Jan Richter, CTO von Silectra, ergänzt man arbeite nun gemeinsam an der Einführung der Cold-Split-Technologie in die Serienfertigung.

Silectra

Infineon-Vorstandsvorsitzender Dr. Reinhard Ploss erweitert mit der Akquise von Silectra das SiC-Portfolio des Münchner Konzerns. Infineon

Siltectra wurde 2010 gegründet und verfügt über ein Patentportfolio mit mehr als 50 Patentfamilien. Das Start-up hat ein Verfahren entwickelt, mit dem sich kristalline Materialen im Vergleich zur üblichen Sägetechnik mit deutlich geringeren Materialverlusten splitten lassen. Diese Technologie kann auch beim Halbleitermaterial SiC angewendet werden, für das in den kommenden Jahren mit einer stark steigenden Nachfrage gerechnet wird. Die Weiterentwicklung der Cold-Split-Technologie soll am bisherigen Siltectra-Standort in Dresden und am österreichischen Infineon-Standort Villach erfolgen. Die Anwendung im industriellen Maßstab erwartet Infineon innerhalb der nächsten fünf Jahre.