Siliziumkarbid ermöglicht besonders effiziente, robuste und auf Systemebene kostengünstige Leistungshalbleiter. Mit den Lieferungen von GT Advanced Technologies will Infineon die schnell wachsende Nachfrage bedienen können.

Siliziumkarbid ermöglicht besonders effiziente, robuste und auf Systemebene kostengünstige Leistungshalbleiter. Mit den Lieferungen von GT Advanced Technologies will Infineon die schnell wachsende Nachfrage bedienen können. Infineon

Mit diesem Liefervertrag sichert sich der deutsche Halbleiterhersteller einen weiteren Zugang zum Grundmaterial (Rohkristalle), aus denen die Wafer gesägt werden. Der Wide-Bandgap-Halbleiter SiC ermöglicht besonders effiziente, robuste und auf Systemebene kostengünstige Leistungshalbleiter, beispielsweise für Schalter und Photovoltaik-Umrichter. Unter dem Markennamen CoolSiC vermarktet Infineon bereits jetzt ein großes Angebot an Halbleiter-Bauelementen für Industrieanwendungen, beispielsweise Mosfets.

„Wir beobachten eine stetig steigende Nachfrage nach SiC-basierten Schaltern, insbesondere für industrielle Anwendungen“, sagte Peter Wawer, Präsident der Industrial Power Control Division von Infineon. „Der jetzt geschlossene Liefervertrag stellt sicher, dass wir die schnell wachsende Nachfrage unserer Kunden mit einer diversifizierten Zuliefererbasis bedienen können. Das unterstützt unsere ehrgeizigen SiC-Wachstumspläne, für die wir unsere Technologieexpertise und Kernkompetenzen bei der Dünnwafer-Fertigung nutzen.“ Zunehmend wird diese Halbleitertechnologie auch für andere  industrielle Anwendungen genutzt wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen und drehzahlgeregelte Antriebe. Ein enormes Potenzial für dessen Einsatz weisen auch Elektrofahrzeuge auf. Mögliche Anwendungsbereiche sind etwa der Hauptumrichter für den Antriebsstrang und die Onboard-Batterieladeeinheit.