Vorteile: Osrams Nanostack-Chiptechnologie und ein temperaturstabiles Oslon Black Series Gehäuse. Die effzienten Stack-Chips haben zwei in Serie geschaltete p-n Übergänge und erreichen fast doppelt soviel optische Leistung wie konventionelle Emitter. Das Oslon Black Series Gehäuse basiert auf einem Metall-Leadframe und ist so ausgelegt, dass seine thermische Ausdehnung zum Temperaturverhalten der Platinen passt. Dadurch lässt sich eine gute Zykelfestigkeit bei stark schwankenden Temperaturen erzielen, wie sie im Außenbereich auftreten.

Überzeugt mit Nanostack-Chiptechnologie in Zusammenspiel mit einem temperaturstabilen Gehäuse.

Überzeugt mit Nanostack-Chiptechnologie in Zusammenspiel mit einem temperaturstabilen Gehäuse. Osram Opto Semiconductors

Die infrarote Komponente liefert 1070 mW Lichtleistung bei 1 A Betriebstrom und hat einen Wärmewiderstand von 6,5 K/W. In das Bauteil ist eine Linse mit +/-45° Abstrahlwinkel integriert. Durch diese angepasste Auskoppellinse ist die IR Oslon in der Lage, 15 % mehr Ausgangsleistung zu liefern als Bauformen ohne Linse. Mit 850 nm Wellenlänge hat der Hersteller die Komponente auf die Empfindlichkeit von CMOS- und CCD-Kamerasensoren abgestimmt.

Weitere Vorteile: Die kleinen Gehäuse lassen sich dicht packen, was hohe Leistungsdichten ermöglicht. Besonders 3D-Kameras profitieren von der
gesteigerten Leistung, da die IR-LED bis zu einem sehr hohen Betriebsstrom von 5 A im 10 MHz-Bereich moduliert werden kann.

Die IR Oslon erfüllt hohe Qualitätsstandards, beispielsweise die Automotive-Norm AEC-Q101. Zusammen mit moderner Chiptechnologie und den guten Gehäuseeigenschaften werden Lebensdauern bis zu 50000 Stunden erreicht.