Die isolierten Gatetreiber UCC21710-Q1, UCC21732-Q1 und UCC21750 von Texas Instruments bieten intergrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und MOSFETs auf SiC-Basis. Damit lassen sich Designs vereinfachen und höhere Systemzuverlässigkeiten in Anwendungen mit bis zu 1,5 kVRMS erreichen.

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs.

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs. Texas Instruments

Mit ihren integrierten Bauelementen erzielen die Bausteine kurze Erkennungszeiten für den Schutz vor Überstrom-Ereignissen und ein sicheres Abschalten des Systems. Auf der Basis einer kapazitiven Isolationstechnologie sorgen die Gatetreiber für eine maximierte Lebensdauer der Isolationsbarriere und bieten gleichzeitig hohe verstärkte Isolationswerte, hohe Datenraten und eine hohe Leistungsdichte. Eine hohe maximale Treiberstärke von ±10 A optimiert das Schaltverhalten und senkt die Verluste. Dank der Überstrom-Erkennung binnen 200 ns wird der Schutz des Systems schnell aktiviert.

Die Familie UCC217xx erhöht die Lebensdauer der Isolationsbarriere  und verbessert die verstärken Isolationswerte mit einer Surge-Beständigkeit bis 12,8 kV. Darüber hinaus bieten die Bauelemente mit ihrem CMTI-Wert von über 150 V/ns eine präzise Datenkommunikation. Die Gatetreiber reduzieren mit ihren integrierten Puffern und Sensoren den Aufwand an externen Bauelementen, liefern dabei aber präzise Temperatur-, Strom- oder Spannungswerte.Ihr isolierter Analog/PWM-Sensor vereinfacht die Systemdiagnose und vermeidet Ausfälle der Schalter.