Bildergalerie
Untergebracht im SOT23-Gehäuse, weist er einen RDS(on)-Wert von 18 mΩ (max.) bei VGS = 4,5 V auf: der N-Kanal-Mosfet PMV16UN.
Auch im 3 x 3 mm großen SOT457-Gehäuse sind die Kleinsignal-Mosfets von NXP effizient.

Vorteil: Die niedrigen RDS(on)-Werte der P-Kanal‑ und N-Kanal-Mosfets reduzieren die Verlustleistung in Consumer-Elektronik-Applikationen, also von Notebook‑ und Tablet-PCs über Mobiltelefone, e-Reader und Set-Top-Boxen bis zu LCD-Fernsehgeräten. Der Hersteller bietet die Komponenten in kompakten 3 x 3 mm großen SOT23- und SOT457-Gehäusen. So lassen sich bisherige Bauteile in größeren Gehäusen durch erheblich kompaktere Lösungen mit vergleichbaren oder niedrigeren Durchgangswiderständen ersetzen.

Der N-Kanal-Mosfet PMV16UN im SOT23-Gehäuse hat einen RDS(on)-Wert von maximal 18 mΩ bei VGS = 4,5 V. Die neuen Bausteine bringen es auf eine 20-prozentige Verbesserung der Energieeffizienz im Vergleich zu Bauteilen der vorherigen Trench-Mosfet-Generation. Insgesamt 70 neue Typen von Kleinsignal-MOSFETs werden im Jahr 2011 eingeführt, so die Niederländer.

„Unsere neuen Kleinsignal-Mosfets setzen, was den Durchgangswiderstand von Bauteilen im SOT23-Gehäuse betrifft, neue Bestwerte“, ist Jens Schnepel, Product Marketing Manager, Transistors bei NXP Semiconductors überzeugt und betont: „Im Consumer-Elektronik-Markt mit seinem ständig wachsenden Wettbewerbsdruck ebnen sie damit den Weg für mehr Effizienz bei deutlich kleineren Abmessungen.“