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Osram Opto

Mit 850 nm Wellenlänge ist sie besonders gut auf die Empfindlichkeit von CMOS- und CCD-Kamerasensoren abgestimmt. Die kleinen Gehäuse lassen sich dicht packen, was sehr hohe Leistungsdichten ermöglicht. Besonders 3D-Kameras profitieren von der gesteigerten Leistung, da die IR-LED bis zu einem sehr hohen Betriebsstrom von 5 A im 10 MHz-Bereich moduliert werden kann. Für das rekordverdächtige Verhältnis von Bauteilgröße zu Leistung kombiniert Osram seine Nanostack-Chiptechnologie mit dem temperaturstabilen OSLON Black-Series-Gehäuse. Die hocheffzienten Stack-Chips haben zwei in Serie geschaltete p-n-Übergänge und erreichen fast doppelt soviel optische Leistung wie konventionelle Emitter. Das OSLON Black-Series-Gehäuse basiert auf einem Metall-Leadframe und ist so ausgelegt, dass seine thermische Ausdehnung optimal zum Temperaturverhalten der Platinen passt. Dadurch erreicht man eine gute Zyklenfestigkeit bei stark schwankenden Temperaturen, wie sie zum Beispiel im Außenbereich auftreten. Auch sonst genügt die IR-OSLON höchsten Qualitätsstandards wie beispielsweise der Automotive-Norm AEC-Q101. Die Lebensdauer geht bis zu 50.000 Stunden.