N-Kanal-Leistungs-MOSFETs U-MOS IX-H Toshiba Electronics für Niederspannungen

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs U-MOS IX-H Toshiba Electronics

Aufgebaut in der aktuellen im Niederspannungs-Trench-Struktur-U-MOS-IX-H-Prozess sind die in den MOSFETs verwendeten Zellstrukturen darauf optimiert, Spannungsspitzen und Ringing während des Schaltens zu unterdrücken. Das kann zur Verbesserung der System-EMI (elektromagnetische Interferenzen) beitragen. Die Bausteine sind hauptsächlich im SOP-Advance mit 5 mm x 6 mm und TSON-Advance-Gehäusen mit 3 mm x 3 mm Kantenlänge untergebracht. Alle unterstützen die Ansteuerung mit 4,5-V-Logikpegel.