Renesas Electronics hat mit den Bausteinen RJK0210DPA, RJK0211DPA und RJK0212DPA moderne Leistungsmosfets vorgestellt, die sich für den Einsatz in Gleichstromwandlern für PoL-Stromversorgungen, Basisstationen, Computer-Servern und Notebooks eignen. Vorteil: ein niedriger FOM-Wert, der in wenig Leistungsverlusten bei der Spannungswandlung resultiert. Der typische FOM-Wert für die Bausteine beträgt bei VGS = 4,5 V jeweils 6,84 m?onC, 7,83 m?onC und 7,2 m?onC. Mit einer Spannungstoleranz von 25 V erreichen die Bausteine Maximalströme von 40 A beim RJK0210DPA, 30 A beim RJK0211DPA sowie 25 A beim RJK0212DPA. Die Mosfets sind im 5,1 x 6,1 x 0,8 mm großen WPAK-Gehäuse untergebracht, dessen Unterseite über ein Die-Pad zur Wärmeübertragung an die Leiterplatte verfügt.