Der 2x2x0,75mm große 190V-N-Kanal-Mosfet mit integrierter 190V-Leistungsdiode verfügt über einen On-Widerstand, der bis zu 1,8V VGS spezifiziert ist. Anwendungsbereiche des SiA850DJ: DC/DC-Aufwärtswandler für piezoelektrische Hochspannungsmotoren und OLED-Hintergrundbeleuchtungen in tragbaren Geräten. Durch die Integration der Mosfets und der Leistungsdiode in das gleiche Gehäuse spart der Entwickler ein Drittel der Leiterplattenfläche ein. Darüber hinaus lassen sich Bauteilkosten sparen, weil die externe Diode entfällt. Weiterer Vorteil: Aufgrund des niedrigen RDS(on) von 1,8V entfällt eine Pegelumsetzerschaltung, so dass sich auch hier Leitenplattenfläche einsparen lässt. Der Baustein verfügt über niedrige On-Widerstände zwischen 17 bei 1,8 bzw. 3,8? bei 4,5V VGS. Die Dioden-Durchlassspannung beträgt 1,2V bei 0,5A.