Der 20-V-p-Kanal-Trenchfet-Leistungsmosfet Si8445DB im Micro-Foot-Chipscale-Gehäuse hat einen Footprint von 1,2×1,0mm. Der Baustein weist niedrige On-Widerstandswerte von 0,495-0,084 ? bei Gate-Spannungen von 1,2-4,5V auf. Der On-Widerstand bei 1,2V macht eine Pegelumsetzerschaltung überflüssig, das spart Platz und verringert die Leistungsaufnahme tragbarer elektronischer Geräte. Einsatzbereiche: Lastschalter mit niedrigem Schwellenwert, Schalter für Ladegeräte und Batteriemanagement in tragbaren Geräten wie Mobiltelefone, PDA, Digi-talkameras, MP3-Player und Smart Phones.

VORTEIL: Die in Muster- und Produktionsstückzahlen erhältliche Komponente glänzt durch niedrigen Platzbedarf, was wiederum in Kostenersparnissen resultiert.