Die LFPAK88-Bauteile sollen größere Packages wie D²PAK und D²PAK-7 ersetzen und haben eine Montagefläche von 8 x 8 mm², was zu einer Platzersparnis von 60 Prrozent und einer 64-prozentigen Verringerung der Höhe führt. Im Gegensatz zu anderen Packages, deren Performance oft durch die Verwendung interner Bonddrähte eingeschränkt ist, wird bei den LFPAK88-Bauelementen ein Kupferclip auf die Die-Oberfläche gelötet, was in geringem elektrischen und thermischen Widerstand sowie guter Stromverteilung und Wärmeableitung resultiert. Darüber hinaus reduziert die thermisch wirksame Masse des Kupferclips ebenfalls die Bildung von Hot Spots, was sich in einem verbesserten Verhalten in Bezug auf Avalanche-Energie (EAS) und Linearbetrieb (SOA) äußert.

Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs.

Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs. Nexperia

Durch die Kombination aus hoher Dauerstrombelastbarkeit und Spitzenstrom ID(max) von 425 A mit einem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ bei kleineren Gehäuseabmessungen ergibt sich eine marktführende Leistungsdichte bis zum 48-fachen der D2PAK-Bauelemente. Und schließlich ist das LFPAK88 mit seinen L-förmig abgewinkelten Anschlüssen ein mechanisch und thermisch robustes Package, das die Zuverlässigkeitsanforderungen nach AEC-Q101 um das Zweifache übertreffen. LFPAK88-MOSFETs sind in zwei Ausführungen erhältlich: BUK, qualifiziert für den Autobau, und PSMN, geeignet für die Industrie. Zu den automobiltechnischen Anwendungen gehören Bremsen, Servolenkung, Verpolschutz und DC-DC-Wandler, wobei die durch die Verwendung der Bauelemente erreichbaren Platzeinsparungen insbesondere bei zweifach redundanten Schaltungen hilfreich sind.