REM-Querschnitt eines IHP SiGe BiCMOS-Wafers mit X-FAB Cu-BEOL.

REM-Querschnitt eines IHP SiGe BiCMOS-Wafers mit X-FAB Cu-BEOL. (Bild: X-FAB)

Die aktiven Bauelemente von IHP werden direkt in das Backend of Line (BEOL) von X-FABs 130-nm-XR013-RF-SOI-Prozess mit Cu- und Dick-Cu-basierter Metallisierung integriert, zusammen mit leistungsstarken passiven Elementen wie Induktivitäten und Transformatoren. Diese Integration bedeutet, dass mit einer breiten Palette von Konzepten für drahtlose Systeme der nächsten Generation experimentiert werden kann.

Ein weiterer Schwerpunkt der gemeinsamen Arbeit von X-FAB und dem IHP ist die Entwicklung von SiGe-BiCMOS-Technologien. Die Grundlage dafür bilden die SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren des IHP. Diese verfügen über starke Leistungsparameter mit fT/fmax-Werten von bis zu 250/340 GHz für SG13S-Cu und bis zu 300/500 GHz für SG13G2-Cu. Die verwendeten 3 µm dicken, verlustarmen Kupfer-Interconnects sollen sich ebenfalls als wertvoll für die Steigerung der HF-Leistung erweisen.

Technologische Gründe für den Halbleitermangel im Automobilsektor

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(ml)

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