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MOSFET für 42-V-Bordnetze

Der neue FDB06AN08A1 UltraFET Trench MOSFET von Fairchild ist speziell ausgelegt für Starter/Lichtmaschinen, elektronische Lenkkraftverstärker, elektrische Bremsen, Ventilsteuerungen und andere 42 V Automotive-Applikationen mit hohem Strombedarf, die eine maximale Bauelementeleistung bei geringen Gatterspannungen benötigen. Durch die Verwendung der patentierten Trench-Technologie von Fairchild ist das Die des FDB06AN08A1 um mehr als 20 Prozent kleiner als bei vergleichbaren Technologien. Das ist besonders wichtig in Starter/Lichtmaschinen-Applikationen, wo mehrere dieser Bauelemente parallel geschaltet werden müssen, um den Startstrom von bis zu 1.500 A zu bewältigen.
Der FDB06AN08A1 N-Kanal Trench-MOSFET bietet einen sehr geringen RDS(on) (max. 6,3 mž bei Raumtemperatur), eine Durchbruchspannung von 75 V, eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C, einen internen Gatterwiderstand sowie einen unbegrenzten Induktionsstoß für einzelne (1.200 mJ @ 75 A) und sich wiederholende Impulse. Hinzu kommt, dass durch die Die-Größe des Bausteins mehr Platz in einem D2-Pak (TO263) als sonst zur Verfügung steht. Dadurch ergibt sich Flexibilität hinsichtlich der Die-Größe, mit der Möglichkeit, den RDS(on) bei gleichen Gehäuseabmessungen noch weiter zu verringern.

EBV Elektronik
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