(Bild: Samsung Semiconductor)
Der 7-nm-LPP-Prozess (Low Power Plus) soll Samsungs Foundry-Kunden die Möglichkeit geben, die volle Palette von Produkten zu entwickeln, die die Grenzen von Anwendungen wie 5G, Künstliche Intelligenz, Enterprise- und Hyperscale-Datenzentren, IoT, Automotive und Networking erweitern sollen.
Bei EUV-Belichtung lassen sich auch bei 7 nm klar definierte Strukturen erkennen. Samsung
Die Extreme-Ultra-Violet-Lithographie (EUV) nutzt Licht der Wellenlänge 13,5 nm zur Belichtung der Strukturen auf dem Wafer. Damit lassen sich auch kleinste Strukturen ohne Mehrfachbelichtung erzeugen, wie sie bei der Argonfluorid-Immersionstechnologie notwendig war, bei der Licht mit einer Wellenlänge von 193 nm zum Einsatz kam. Damit lässt sich mit dem 7LPP-Prozess die Gesamtzahl der Fotomasken im Vergleich zum Nicht-EUV-Prozess um etwa 20 Prozent reduzieren, was den Anwendern Zeit und Kosten erspart.
Die Verbesserung der EUV-Lithographie hilft zusätzlich bei der Verringerung des Stromverbrauchs, verringert die auf dem Silizium notwendige Chipfläche bei gleichzeitiger Verbesserung der Designproduktivität durch eine Reduzierung der Komplexität. Im Vergleich zu seinem 10-nm-FinFET-Vorgängern soll laut Aussagen von Samsung der 7LPP-Prozess die Flächeneffizienz um 40 Prozent und die Leistung der Chips um 20 Prozent steigern, während der Stromverbrauch um bis zu 50 Prozent sinken soll. Angekündigt wurde der 7-nm-EUV-Prozess auf der ISSCC 2018.
(na)