Rund 750 Millionen Euro will STMicroelectronics in den nächsten Jahren investieren, um am Standort im Catana eine SiC-Produktion aufzubauen. (Bild: Wikipedia/Salvoweb)
Halbleiterhersteller STMicroelectronics wird in Italien eine integrierte Produktionsstätte für Siliziumkarbid-Substrate (SiC) errichten, um die steigende Nachfrage nach SiC-Bauelementen für Automobil- und Industrieanwendungen im Zuge des Übergangs zur Elektrifizierung und höheren Effizienz zu bedienen. Die Produktion wird voraussichtlich im Jahr 2023 anlaufen und eine ausgewogene Versorgung mit SiC-Substraten aus dem eigenen Haus und von Händlern ermöglichen.
Die SiC-Substrat-Fertigungsanlage soll am ST-Standort Catania in Italien neben der bestehenden SiC-Fertigung entstehen. Sie ist die erste ihrer Art in Europa für die Massenproduktion von 150-mm-SiC-Epitaxie-Substraten und integriert sämtliche Schritte des Produktionsflusses. Weiterhin strebt ST an, in naher Zukunft 200-mm-Wafer zu entwickeln. Die Investition Die Investition in Höhe von 730 Millionen Euro über fünf Jahre wird vom italienischen Staat im Rahmen des Nationalen Konjunkturprogramms finanziell unterstützt und wird bei vollem Ausbau rund 700 direkte zusätzliche Arbeitsplätze schaffen. "ST ist dabei, seine globalen Produktionsabläufe umzugestalten, mit zusätzlichen Kapazitäten in der 300-mm-Fertigung und einem starken Fokus auf Halbleiter mit breitem Bandabstand, um sein Umsatzziel von über 20 Milliarden US-Dollar zu unterstützen“, begründet Jean-Marc Chery, President und Chief Executive Officer von STMicroelectronics. „Diese neue Anlage wird der Schlüssel zu unserer vertikalen Integration im Bereich SiC sein und unser Angebot an SiC-Substraten verstärken, da wir unsere Automobil- und Industriekunden bei ihrer Umstellung auf Elektrifizierung und höhere Effizienz unterstützen wollen".
Catania ist seit langem ein wichtiger Innovationsstandort für ST, denn hier befinden sich die größten SiC-Forschungs- und Produktionsanlagen, die zur Entwicklung neuer Lösungen für die Herstellung von mehr und besseren SiC-Bauelementen beitragen. Mit einem etablierten Ökosystem auf dem Gebiet der Leistungselektronik, einschließlich einer langfristigen, erfolgreichen Zusammenarbeit zwischen ST und verschiedenen Interessengruppen (der Universität, dem Nationalen Forschungsrat Italiens (CNR), Equipment-Herstellern) sowie einem großen Netzwerk von Zulieferern, wird diese Investition die Rolle Catanias als globales Kompetenzzentrum für Siliziumkarbidtechnologie und für weitere Wachstumsmöglichkeiten stärken.
STs hochvolumige STPOWER-SiC-Produkte werden derzeit in den Produktionsstätten in Catania und Ang Mo Kio (Singapur) hergestellt. Die Montage und der Test erfolgen an den Back-End-Standorten in Shenzhen (China) und Bouskoura (Marokko). Die Investition in diese SiC-Substrat-Fertigungsanlage baut auf diesem Know-how auf und ist ein wichtiger Meilenstein auf dem Weg von ST, bis 2024 40 % der Substrate intern zu beziehen.
