Vitesco arbeitet bei SiC-Leistungshalbleitern mit Rohm zusammen. (Bild: Joerg Koch, Continental AG)
Vitesco Technologies und Rohm Semiconductor haben vor kurzem eine Entwicklungspartnerschaft unterzeichnet, die im Juni beginnt. Die Antriebssparte von Continental wird SiC-Bausteine nutzen, um so einen systembedingt höheren Wirkungsgrad zu erzielen.
Vitesco entwickelt und testet SiC-Technologie bereits in einem 800-V-Inverterkonzept, um das Effizienzpotenzial dieser Technologie zu analysieren. Bei diesem Programm ruht das Augenmerk auf dem Gesamtsystem aus Elektronik und Maschine, um die beste Kombination aus Bausteintechnologie und Schaltstrategie zu bestimmen. SiC-Leistungshalbleiter (zum Beispiel SiC MOSFET für 800-V-Batteriesysteme) bieten für diese Aufgabe eine höhere Schalteffizienz (höhere Schaltfrequenz, steilere Schaltflanken) und verursachen geringere Oberschwingungsverluste in der elektrischen Maschine. Außerdem ist die SiC-Technologie unverzichtbar für sehr schnelle Ladeverfahren mit 800 V.
Zusammen wollen die Partner die beste Kombination von SiC-Technologie für die Großserienfertigung und die bestmögliche Anpassung des Inverter-Designs für eine hohe Effizienz schaffen.
Vitesco hebt ausdrücklich hervor, dass die Partnerschaft auch von kurzen Wegen profitieren soll, denn Vitesco und Rohm haben jeweils Werke in Nürnberg, was wiederum nicht weit von Vitescos Hauptquartier in Regensburg entfernt ist. Eine Anmerkung der Redaktion: Die Rohm Semiconductor Group unterhält in Nürnberg mit der SiCrystal GmbH lediglich eine eigene Rohwafer-Produktion, aber keine Chipherstellung.
(gk/av)
