Weltweit erster 80-V-RET von Nexperia

Nexperia bietet die weltweit erste Familie von 80-V-RETs (Resistor-Equipped Transistors, Transistoren mit integrierten Widerständen). Die neuen RETs oder ‚Digital-Transistoren‘ bieten eine ausreichende Sperrspannungsreserve für Anwendungen in Kraftfahrzeugen mit 48-V-Bordnetz wie etwa Mild-Hybrid und Elektroautos und andere Anwendungen mit höheren Betriebsspannungen, die größeren Spannungsspitzen und Impulsen ausgesetzt sind und für welche die bisherigen 50-V-Typen unterdimensioniert sind.

RETs vereinen im normalen SOT23- (250 mW P_tot) oder SOT323- (235 mW P_tot) Gehäuse sowohl einen Transistor als auch einen Basis-Vor­wider­stand und einen Basis-Emitter Parallelwiderstand; sie sparen dadurch Platz und Produk­tions­kosten. Im SOT363-Gehäuse (P_tot 350 mW) sind zudem Double-RETs (zwei Transistoren einschließ­lich Basis-Vor­wider­ständen und Basis-Emitter Parallelwiderständen) verfügbar, die einen noch höheren Integrationsgrad bieten und weitere Ein­sparungen ermöglichen. Die neuen Serien NHDTx und NHUMx umfassen 42 Typen, unter anderem auch PNP/NPN-Kombinationen. Die Widerstandskombinationen sind die gleichen wie bei den 50-V-Typen von Nexperia.

(prm)