X-FAB will eine steigende Nachfrage nach SiC-Halbleitern befriedigen.

Am Standort Lubbock (Texas, USA) bietet X-FAB nun eine hauseigene SiC-Epitaxie an. (Bild: X-FAB)

X-FAB Silicon Foundries SE treibt die Einführung der Siliziumkarbid-Technologie (SiC) voran. Das Unternehmen bietet Foundry-Dienstleistungen für SiC-Epitaxie (SiC-Epitaxie auf SiC-Substrate) an, die parallel zu den vorhandenen Silizium-Prozessen in der gleichen Produktionslinie laufen. Damit kann X-FAB SiC-Prozesse in der Output-Größenordnung der Si-Produktionslinie liefern. Die Produktion läuft derzeit in der Fab in Lubbock (Texas, USA) mit einer Kapazität von 26.000 Wafern pro Monat.

Durch das Angebot einer hauseigenen Epitaxie übernimmt X-FAB die Kontrolle über einen weiteren Teil der Prozesskette. Dies soll zu kürzeren Vorlaufzeiten führen, so dass die Produkte der Anwender schneller auf den Markt kommen können. Durch ein neues Epitaxie-Toolset, das mit einer Option für Doppel-Epitaxie ausgestattet ist, will X-FAB eine bessere Homogenität der Epitaxieschicht erreichen und damit die Leistungsparameter der Bauelemente und die Gesamtausbeute deutlich erhöhen. Das Unternehmen investiert außerdem weiter in Equipment für die Materialanalytik zur Überprüfung der Qualität der epitaktischen Schichten. Außerdem arbeitet das Unternehmen mit Substratherstellern zusammen, um die langfristige Kontinuität der Versorgung mit SiC-Substraten sicherzustellen.

Mit dem Produktionsstart in Lubbock will X-FAB den wachsenden Markt für SiC-Bauelemente bedienen. Anwendungbereiche umfassen vor allem die Elektromobilität und das Energiemanagement.

 

(gk)

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