Kiyoshi Matsubara, Deputy General Manager der Automotive Semiconductor Business Unit bei Renesas: „Unser Ziel ist es, bis 2012 die Nr. 1 weltweit in allen Automotive-Märkten zu werden“

Kiyoshi Matsubara, Deputy General Manager der Automotive Semiconductor Business Unit bei Renesas: „Unser Ziel ist es, bis 2012 die Nr. 1 weltweit in allen Automotive-Märkten zu werden“

„Auf Grund der integrierten Nitrid-Schicht können bei Monos im Falle eines Defekts nur wenige Ladungen entweichen, während die restlichen Ladungen erhalten bleiben“, betont Kiyoshi Matsubara, Deputy General Manager der Automotive Semiconductor Business Unit bei Renesas. Für ihn ist das „eine Art Redundanz-Strategie, weil auch nach einer Beschädigung der Isolationsschicht mehr individuelle Ladungen übrigbleiben, die festlegen, ob der Wert Null oder Eins ist“.

Monos-Flash weist prinzipbedingt einige besondere Features auf: „Bei normalem NOR sind hohe Programmierspannungen nötig, aber bei Monos ist kein Hochspannungs-Transistor erforderlich, so dass ein sehr schneller Lese-Zugriff möglich ist“, betont Herr Matsubara. „Außerdem lassen sich die Speicherstrukturen über mehrere Prozess-Generationen hinweg bis mindestens 45 nm skalieren.“  

Grundlage von Monos-Flash ist eine ähnliche Technologie, die Renesas bereits für EEPROMs und für Smartcard-Controller nutzte. Mit Monos-Flash bringt Renesas erstmals Nitrid-Schichten in hochzuverlässige Embedded-Flash-Speicher. „Wenn man normale NOR-Flash-Speicher mit 100 MHz betreiben möchte, dann geht das zu Lasten der Fläche, so dass im Vergleich zum Betrieb bei 50 MHz etwa 60% mehr Chipfläche notwendig sind“, stellt Kiyoshi Matsubara heraus. „Bei Monos benötigen wir für die 100-MHz-Tauglichkeit lediglich maximal 10% mehr Chipfläche. Damit lassen sich Programme bis 100 MHz Taktfrequenz direkt aus dem Flash-Speicher heraus ausführen. Aber selbst Betriebsfrequenzen von über 250 MHz sind über einen breiten Temperaturbereich hinweg möglich.“

„Im Vergleich zu normalem Flash nimmt Monos-Flash viel weniger Strom auf“, so Matsubara weiter. „Dadurch können wir auch bei den nächsten Controller-Gernerationen noch schneller werden ohne dabei die Verlustleistungsaufnahme  zu erhöhen.“

Derzeit sieht sich Reneasas bei Mikrocontrollern im Auto als die Nr. 1 in Japan, die Nr. 2 in den USA sowie als Nr. 3 in Europa. „Unser Ziel ist es, bis 2012 die Nr. 1 weltweit in allen Automotive-Märkten zu werden“, erläuterte Kiyoshi Matsubara im Gespräch mit AUTOMOBIL-ELEKTRONIK. „Die hohe Performance in Kombination mit Monos-Flash und der hohen Zuverlässigkeit sowie die Qualität werden uns dabei helfen, unser Geschäft in Europa massiv auszubauen.“

Neben der reinen Technik sei die besonders hohe Qualität ein wesentlicher Faktor, der für Monos-Flash spreche. Matsubara: „Wir erzielen mit Monos die gleiche Zuverlässigkeit wie bei EEPROMs. Beim Datenerhalt der Flash-Speicher hatten wir bereits über zehn Jahre lang keinerlei Probleme. Wir können außerdem große Speicher implementieren. Derzeit peilen wir für die nächste Mikrocontroller-Generation 8 MByte auf dem Chip an.“ (av)