Der GaN-FET GAN063-650WSA arbeitet im Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Dank seines niedrigen RDS(on) (bis hinunter zu 60 mΩ) und der hohen Schaltgeschwindigkeiten soll das Bauelement einen hohen Wirkungsgrad aufweisen. Ausgerichtet ist der GaN-FET auf Segmente mit Hochleistungsanwendungen, zu denen neben Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur unter anderem auch die industrielle Automation und High-End-Netzteile gehören.

650-V-GaN-FET GAN063-650WSA

Mit dem 650-V-GaN-FET GAN063-650WSA steigt Nexperia in den GaN-Leistungshalbleitermarkt ein. Nexperia

Hergestellt wird das Bauelement mittels eines gut skalierbaren GaN-on-Silicon-Prozesses. Verfügbar ist der FET im Industriestandard-Gehäuse TO-247. Für Nexperia ist der GaN-FET das erste Bauelement in einem Portfolio an GaN-Bauelementen speziell entwickelt für die Märkte Automotive, Kommunikation und Industrie.