Semikron hat eine niederinduktive 1200-V-Semitrans-IGBT-Modulreihe für AC/DC-Umrichter von 20 – 300 kW eingeführt. Die Module sind mit V-IGBT-Chip zusätzlich zum IGBT4-Chip erhältlich. Die niedrige Modulinduktivität von 15 nH hat 2 Vorteile: Im Vergleich zum Wettbewerb ist aufgrund niedrigerer Schaltüberspannungen eine um 50 V höhere
Zwischenkreisspannung möglich. Durch schnelleres und softes Schalten der IGBT entstehen weniger Schaltverluste. Beides führt zu einem höheren Wirkungsgrad.
Zusätzlich zu den Bausteinen mit Infineon IGBT-Chips bietet der Hersteller Module mit dem V-IGBT von Fuji mit einer Sperrspannung von 1200 V. Die V-IGBT gibt es in 3 Baugrößen, 8 Stromklassen und 3 Schaltungsvarianten mit einem Nominalstrom von 150–600 A. Die Baureihen Semitrans 3 und 4 haben eine Modulinduktivität von 15 nH. Mit einer IGBT-Schaltgeschwindigkeit von 5000 A/µs ergibt sich eine interne Modulüberspannung von 75 V. Mit Modulen in den Schaltungsvariaten Einzelschalter, Halbbrücke und Chopper lassen sich somit Schaltungen für alle Anwendungsgebiete, insbesondere für Umrichter in industriellen Antrieben, realisieren.
Weiterer Vorteil: Semitrans-Standardmodule zeichnen sich durch eine hohe Isolationsfestigkeit von 4000 V/Min aus. Der Hersteller bietet zu den 1200-V-Typenreihen diverse IGBT-Familien, wie IGBT2, IGBT2 fast, IGBT3, IGBT4 auch Typenreihen mit einer Speerspannung von 600 und 1700 V an. Die Semitrans-Typenreihe umfasst neben den drei Standardgehäusen Typenreihen für Sonderanwendungen, wie Semitrans 6 mit Sechspulsbrücken-Umrichterschaltungen.