
3,3-kV-SiC-Leistungsbauelemente von Microchip
Microchip erweitert sein SiC-Angebot um 3,3kV-SiC-MOSFETs und SiC-SBDs, Die Bauelemente kommen in der Hochspannungs-Leistungselektronik in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie zum Einsatz.Weiterlesen...

Toshiba stellt TVS-Diode mit geringer Kapazität vor
Toshiba bietet eine neue TVS-Diode DF2B6M4BSL mit einer Gesamtkapazität von 0,12 pF (max. 0,15 pF) an. Sie eignet sich zum ESD-Schutz von HF-Antennen.Weiterlesen...

MOSFETs im PQFN 2 x 2 von Infineon
Infineon hat seine Leistungs-MOSFET-Baureihe OptiMOS um eine Produktfamilie im PQFN 2 x 2 erweitert.Weiterlesen...