900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor

Die 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs eignen sich für anspruchsvolle Anwendungen. On Semiconductor

Die neuen 1200- und 900-V-n-Kanal-SiC-MOSFETs von On Semiconductor bieten im Vergleich zu Si-Varianten eine schnellere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die integrierte Body-Diode mit geringer Sperrverzögerungsladung reduziert die Leistungsverluste erheblich und erhöht die Betriebsfrequenzen sowie die Leistungsdichte der Gesamtlösung.

Der HF-Betrieb verbessert sich durch die kleine Chipgröße, die zu einer geringeren Bauteilkapazität und reduzierten Gateladung Qg (bis hinab auf 220 nC) führt, wodurch sich die Schaltverluste beim Betrieb mit hohen Frequenzen verringern. Diese Verbesserungen erhöhen den Wirkungsgrad, reduzieren elektromagnetische Störungen (EMI) im Vergleich zu Si-basierten MOSFETs und ermöglichen den Einsatz von weniger (und kleineren) passiven Bauelementen. Die robusten SiC-MOSFETs bieten im Vergleich zu Si-Bauelementen höhere Stoßspannungswerte und sind robuster bei Kurzschlüssen. Eine niedrigere Durchlassspannung sorgt für ein schwellenfreies Durchlassverhalten, was die statischen Verluste im leitenden Zustand des MOSFETs verringert.

1200-V-Bausteine sind für bis zu 103 A ausgelegt; 900-V-Bausteine bis 118 A. Für Anwendungen, die höhere Ströme erfordern, lassen sich die MOSFETs aufgrund ihres positiven Temperaturkoeffizienten beziehungsweise ihrer Temperaturunabhängigkeit problemlos parallel betreiben.

Alle SiC-MOSFETs von On Semiconductor sind blei- und halogenfrei. Die für Automotive-Anwendungen vorgesehenen Bausteine sind AEC-Q100-qualifiziert und PPAP-fähig. Alle neuen MOSFETs werden in den Standardgehäusen TO-247 oder D2PAK ausgeliefert.

Die neuen Bausteine eignen sich für anspruchsvolle Anwendungen, unter anderem für Solarwechselrichter, On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Server-Stromversorgungen und EV-Ladestationen