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Toshiba

Der TJ200F04M3L entspricht dem Standard AEC-Q101 und weist bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V einen maximalen RDS(on) von 1,8 mOhm auf. Der Leistungs-MOSFET arbeitet bei einer maximalen Kanaltemperatur von 175 °C. Die Nenn-Anschlussdaten sind UDSS = -40 V/ID = -200 A. Die Fertigung erfolgt in Toshibas U-MOS VI Trench-Prozess mit einem Kupferanschluss in einem TO-220SM-(W)-Gehäuse.