Den Entwicklern bei Osram Opto Semiconductors gelang es, die typischen Vorwärtsspannungen grüner, direkt emittierender InGaN-LED bei Stromdichten von 45 A/cm2 um 600 mV auf 2,6 V zu senken. Diese Neuerung ist vor allem für Anwendungen, in denen rote, blaue und grüne LED kombiniert zum Einsatz kommen, relevant. Da nun alle drei Farben eine Spannung von unter 3 V aufweisen, können die bisher auf höhere maximale Spannungen angelegten Treiber geringer dimensioniert werden. Das verringert die sogenannte dissipative Verlustleistung.

Vorwärtsspannungen

Bei der Fertigung von Indium-Gallium-Nitrid-basierten grünen LED ist es Osram Opto Semiconductors gelungen, die typischen Vorwärtsspannungen um 600 mV deutlich zu reduzieren Osram Opto Semiconductors

Entscheidende Faktoren in der Entwicklung waren ein verbesserter Ladungsträgertransport sowie die Optimierung der Materialqualität in den epitaktischen Schichten. Bei 350 mA können 1 mm2-UX:3-Chips mit der neuen Technologie Effizienzen größer als 175 lm/W bei Wellenlängen um 530 nm erzielen. Die absoluten Licht-Ausgangsleistungen können über 300 lm bei 1 A Pumpstrom liegen. „Wir stoßen jetzt in Bereiche vor, die bisher nur mit phosphorkonvertierten Emittern und signifikant reduzierter spektraler Güte erreichbar waren“, erläutert Projektleiter Adam Bauer von Osram Opto Semiconductors.