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Die Leistungshalbleiterserie beinhaltet 55 und 150 Volt N-Kanal-Mosfets mit Standard Gate-Ansteuerung, sowie -55 und -100 Volt P-Kanal-Mosfets, ebenfalls mit Standard Gate-Ansteuerung. Diese eignen sich für High-Side-Schaltapplikationen, weil sie keine zusätzliche Ladungspumpe für die Gate-Ansteuerung benötigen. Die 30, 55 und 100 Volt N-Kanal Komponenten mit einer Gate-Ansteuerung auf Logikpegel vereinfachen die Anforderungen an die Gate-Treiber. Darüber hinaus sind weniger Platz auf der Leiterplatte sowie weniger Bauelemente notwendig. Weiterer Vorteil: Die Mosfets überzeugen mit einem niedrigen Einschaltwiderstand (Rds(on)).

Die Bausteine sind entsprechend den AEC-Q101 Standards qualifiziert. Sie sind durch bleifreie und RoHS-konforme Materialien gekennzeichnet, und sind Bestandteil der auf den Automobilbereich fokussierten Zero-Defect-Initiative. Dabei werden sie dynamischen und statischen Part Average-Tests unterzogen, kombiniert mit einer 100 prozentigen automatischen Sichtprüfung auf Waferebene. Die AEC-Q101 Qualifikation schreibt vor, dass sich der Rds(on) nach 1.000 Test-Temperaturzyklen um nicht mehr als 20 Prozent verändern darf. IR‘s AU-Materialien wiesen in erweiterten Tests eine maximale Rds(on)-Verschiebung von 12 Prozent bei 5.000 Temperaturzyklen auf und stellten auf diese Weise die Widerstandsfähigkeit und Robustheit der verwendeten Materialien unter Beweis.