PoE-PD LM5070
Mit dem LM5070 stellt National Semiconductor auf der Electronica das erste auf einem Chip integrierte Power-Baustein für PoE (Power-over-Ethernet) vor.
Mit dem LM5070 stellt National Semiconductor auf der Electronica das erste auf einem Chip integrierte Power-Baustein für PoE (Power-over-Ethernet) vor, so Paul Greenland, Director Strategic Marketing Power Management bei National Semiconductor.
align=justify>Das LM5070 verfügt über einen Interface-Port sowie einen PWM-Controller und entspricht dem Standard IEEE 802.3af. Im LM5070 sind ein für 80 V/400 mA ausgelegter Schalter für den Leitungsanschluss mit zugehörigem PoE-Interface und ein Current-Mode-DC/DC-Wandler integriert, der die Eingangsspannung von 48 V in die Versorgungsspannungen der verschiedenen Verbraucher umwandelt.
Neben einer Unterspannungs-Abschaltung weist das IC auch einen einstellbaren Einschaltstrom sowie einen internen Power-Sequencer auf, während die Oszillator-Frequenz des bis 75 V ausgelegten Bausteins auf bis zu 1 MHz festegelegt werden kann. Als Gehäuse dient ein LLP-16 oder ein TSSOP-16.
