Der FM23MLD16 ist pinkompatibel zu batteriegepufferten SRAM-Bausteinen und dank F-RAM-Technik bestens fürs industrielle Umfeld gerüstet.
Ramtron hat mit dem FM23MLD16 einen acht Megabit großen F-RAM-Speicherchip im kompakten FBGA-Gehäuse (48 Kontakte) vorgestellt. Der Chip arbeitet mit drei Volt und bietet bei geringem Stromverbrauch schnellen Zugriff und praktisch unbegrenzt viele Lese und Schreibzyklen. Die Speicherkomponente ist pinkompatibel mit asynchronem statischem RAM (SRAM) und zielt ab auf industrielle Systeme wie Robotertechnik, Raid-Netzwerkspeicher, Multifunktionsdrucker, Kfz-Navigationssysteme und zahlreiche andere SRAM-basierte Schaltungen.
Mike Peters, Marketingmanager bei Ramtron, berichtet: „Der Acht-Megabit-F-RAM-Chip und unser unlängst vorgestellter FM22LD16 mit vier Megabit gehen auf die Kundennachfrage nach Memory-Komponenten mit höherer Speicherdichte für schreibintensive Datenerfassungsanwendungen ein. Beide Komponenten sind pinkompatibel und ermöglichen es damit auf einfache Weise, die Speicherdichte aufzurüsten. Mit dem FM23MLD16 erzielen Systementwickler die achtfache F-RAM-Dichte gegenüber dem Platzbedarf eines äquivalenten TSOP32-Gehäuses.“ Der FM23MLD16 ist als nichtflüchtiges Memory mit 16 mal 512 Kilobit organisiert, der Zugriff erfolgt über eine Parallelschnittstelle. Die Zugriffszeit beträgt 60, die Zykluszeit 115 Nanosekunden. Der Baustein liest und schreibt mit Busgeschwindigkeit bei No-Delay-Schreibvorgängen, verträgt mindestens eins hoch vierzehn Schreibvorgänge und hält die Daten zehn Jahre. Der FM23MLD16 verfügt über einen schnellen Page-Modus, der Lese-/Schreiboperationen in Acht-Byte-Bursts bis 33 Megahertz ermöglicht. Der Baustein benötigt neun Milliampere fürs Lesen und Schreiben und weist einen typischen Ruhestrom von 180 Mikroampere auf. Er arbeitet im industriellen Temperaturbereich von -40 bis +85 Grad Celsius. (lei)
