Die Superjunction-MOSFETs der Serie R60xxJNx sind für den Einsatz in Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Motorsteuerungen in Haushaltsgeräten optimiert. Presto-MOS-Bausteine bieten sehr gute Reverse-Recovery-Eigenschaften sie eine geringe Stromaufnahme. Wie bei konventionellen Produkten von Rohm nutzt auch die neue Serie die Lifetime-Control-Technolgoie zum Erreichen einer sehr kurzen Sperrverzögerungszeit. Diese ermöglicht es, die Verlustleistung bei geringen Lasten im Vergleich zu IGBT-Implementierungen um etwa 58 Prozent zu reduzieren.

Die Bausteine der Presto-MOS-Serie von Rohm Semiconductor bieten eine sehr kurze Sperrverzögerungszeit.

Die Bausteine der Presto-MOS-Serie von Rohm Semiconductor bieten eine sehr kurze Sperrverzögerungszeit. Rohm Semiconductor

Zusätzlich verhindert das Anheben der zum Einschalten des MOSFETs erforderlichen Referenzspannung das selbständige Einschalten, eine der Hauptursachen für Verluste. Darüber hinaus erfolgte eine Optimierung der integrierten Diode und dadurch eine Verbesserung des Soft-Recovery-Index des SJ-MOSFETs. Diese Funktion reduziert Rauschen, das zu Fehlfunktionen führen kann. Die Beseitigung dieser Barrieren bei der Schaltungsoptimierung bietet den Anwendern mehr Designflexibilität.