Rohm und Leadrive eröffnen ein gemeinsames Labor zur Entwicklung von SiC-Wechselrichtern.

Rohm und Leadrive eröffnen ein gemeinsames Labor zur Entwicklung von SiC-Wechselrichtern. (Bild: Rohm)

Rohm und der chinesische Hersteller von Antriebssträngen für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb, Leadrive Technology, eröffnen ein gemeinsames Forschungslabor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) in der Shanghaier Freihandelszone.

Die Partner werden dort Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter entwickeln und dabei SiC-MOSFETs und isolierte Gate-Treiber des Halbleiterherstellers verwenden. So sollen neue Stromversorgungslösungen entstehen.

SiC-Leistungsbauelemente werden zunehmend in On-Board-Ladegeräten und DC/DC-Wandlern für Kraftfahrzeuge eingesetzt. Diese Komponenten bieten im Vergleich zu Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis wie IGBTs geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine höhere Temperaturfestigkeit.

„Die Verwendung von Leistungsmodulen mit integrierten SiC-Chips für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb wird sich in den nächsten Jahren zu einem Branchentrend entwickeln“, sagte Dr. Jie Shen, Chairman und General Manager bei Leadrive Technology. Die Kommerzialisierung ausgereifter Komponenten auf Basis der SiC-Technologie durch die Integration von Ressourcen aus der ganzen Welt und die Durchführung von Forschung und Entwicklung verschaffe ihnen als Tier-1-Hersteller in der Automobilindustrie einen Wettbewerbsvorteil.

Rohm und Leadrive arbeiten seit 2017 zusammen und tauschen sich über Automobilanwendungen mit SiC-Leistungsbauelementen aus.

(gk)

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