Leistungselektronik (SiCs, IGBTs, IPMs) ist heute in aller Munde. Wo liegt bei ROHM der Schwerpunkt?

Christian André:  Die Leistungselektronik ist eine der drei Säulen der langfristigen Strategie von ROHM. Das Unternehmen bietet drei Arten von Halbleitertechnologien: Für den Bereich IPM entwickelten wir eine neue Generation von Si MOSFETs. Für die IGBT-Entwicklung haben wir 2016 die 8-Zoll-Linie der Renesas Shiga Factory erworben. Und für SiC konnten wir im Jahr 2018 einen wichtigen Investitionsplan ankündigen, der bis 2025 Investitionen von 545 Mio. US-Dollar für den Kapazitätsausbau und 196 Mio. US-Dollar für die Produktion komplementärer Gate-Driver vorsieht.

Über SiC wird viel diskutiert und entwickelt. Was sind für ROHM die Vor- und gegebenenfalls die Nachteile?

Christian André, Chairman ROHM Europe

Christian André wurde im Mai 2019 zum Chairman von ROHM Europe ernannt. Er studierte HF-Elektronik mit Schwerpunkt auf Radaranwendungen und hat einen Abschluss in Betriebswirtschaft. Seine Karriere begann er bei ROHM 1990 als Vertriebsleiter für Frankreich. Die letzten 14 Jahren war er Präsident von ROHM Semiconductor Europa. Rohm Europe

Christian André:  Die Welt steht vor einer unglaublich wichtigen Herausforderung in Bezug auf die globale Erwärmung und Verschmutzung. SiCs können mit den Eigenschaften ihrer Materialien erheblich dazu beitragen, den Energieverbrauch drastisch zu senken und den CO2-Ausstoß zu reduzieren. Für die Industrie hat das den Vorteil, dass Systemintegratoren Produkte mit kleinerem Volumen (Abmessungen) realisieren und den Kühlbedarf reduzieren können. Mithilfe der SiC-Technologie lassen sich auch die Anforderungen der neuen Gesetzgebung erfüllen, zum Beispiel WLTP für die Automobilindustrie.

Wann wird sich SiC auf dem Weltmarkt, beziehungsweise bei ROHM, durchsetzen?

Christian André:  Die Marktnachfrage nach SiC steigt stetig. Mit der angekündigten Investition erhöhen wir bis 2025 sowohl unsere Kapazität um das 16-fache (gegenüber 2017) als auch die Produktion komplementärer Gate-Treiber um das 11-fache, um dem Bedarf an SiC-Produkten gerecht zu werden. Die Produktionssteigerung betrifft unser über 30.000 m² großes Werk in Nürnberg und das Werk in Miyazaki, Japan. In Chikugo, Japan, bauen wir derzeit eine neue Fabrik, die bis Ende 2020 fertig gestellt sein soll. Mit dieser gewaltigen Investition wollen wir die Marktführerschaft übernehmen.

ROHM hat in Deutschland einen eigenen Substrat-Hersteller. Welche Vorteile haben Sie dadurch?

Christian André:  Unser europäische Standort verfügt über eine Produktionsstätte mit dem weltweit fortschrittlichsten Material für Leistungshalbleiter. Die Produktion des Kristallsubstrats ist sehr komplex, dennoch ist dieser Rohstoff in der Wertschöpfungskette bei der Fertigung von SiC-Bauelementen sehr wichtig. Um hohe Stückzahlen hochwertiger Produkte herzustellen, benötigt es jahrelange Erfahrung und eine große Datenbank. Dank Si-Crystal, unser Werk in Nürnberg, sind wir in der Lage, Automobil- und Industriekunden qualitativ hochwertige Produkte zu liefern und eine langfristige und stabile Versorgung zu garantieren.