3 bit Multi-Level-Cell NAND Chips in 30-nm-Prozesstechnik

3 bit Multi-Level-Cell NAND Chips in 30-nm-Prozesstechnik

Der Marktforscher Gartner Dataquest schätzt den weltweiten NAND flash Speichermarkt für das laufende Jahr 13,8 Mrd. US-$ ein, 2012 sollen es bereits 23,6 Mrd. US-$ sein. Einer der ganz großen im Markt, Samsung Electronics Co., Ltd., hat jetzt mit der industrieweit ersten Volumenproduktion ihrer 3 bit, multi-level-cell (MLC) NAND Flash ICs in 30-nm-Fertigungstechnik begonnen (Bild). Diese Chips werden in der Startphase in NAND Flash Modulen zusammen mit den Samsung 3-bit-NAND Controllern zu 8 GByte großen micro Secure Digital (microSD) Cards verbaut.

Zeitgleich wurde auch mit der Massenproduktion von 32 Gbit großen asynchronen DDR NAND Flash in 30 nm-Technik begonnen. Die neuen DDR MLC NAND ICs erreichen Lesegeschwindigkeiten von 133 Mbit/s und sollen zunächst in SSDs und hochwertigen SD-Cards eingebaut werden.(jj)