Samsung hat die Terabyte-Schwelle bei Smartphone-Speichern überschritten.

Samsung hat einen Speicher für Smartphones entwickelt, der 20 mal mehr Platz bietet als ein interner 64 GB-Speicher.

Samsung hat einen Speicher für Smartphones entwickelt, der 20 mal mehr Platz bietet als ein interner 64 GB-Speicher. Smsung

Smartphone-Begeisterte werden schon bald eine mit Premium-Notebooks vergleichbare Speicherkapazität nutzen können, ohne ihre Mobiltelefone wie bisher mit zusätzlichen Speicherkarten erweitern zu müssen.

Bei gleichen Gehäuseabmessungen (11,5mm x 13,0mm) wie die 512-GB-Vorgängerversion bietet die neue 1-TB-eUFS-Lösung die doppelte Speicherkapazität und enthält einen Stapel mit 16 Lagen von Samsungs fortschrittlichem 512-gigabit (Gb) V-NAND Flash Memory und einem neu entwickelten proprietären Controller. Smartphone-Nutzer können dank der neuen 1-TB-eUFS-Lösung künftig 260 zehnminütige Videos in 4K-UHD-Qualität (3.840 x 2.160Pixel) speichern. Im Vergleich dazu bietet das derzeit in vielen High-End-Smartphones verwendete 64GB eUFS Platz für lediglich 13 Videos mit gleicher Größe.

Die 1-TB-eUFS-Lösung bietet eine außergewöhnlich hohe Geschwindigkeit und ermöglicht Anwendern, große Mengen an Multimedia-Inhalten in wesentlich kürzerer Zeit zu übertragen. Bei einer Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 1.000 MByte/s erreicht das neue eUFS etwa die doppelte sequentielle Lesegeschwindigkeit einer typischen 2,5-Zoll-SSD. Dies bedeutet, dass sich Full-HD-Videos mit 5GB in nur fünf Sekunden auf eine NVMe SSD speichern lassen, was der zehnfachen Geschwindigkeit einer typischen micro SD-Karte entspricht. Ferner hat sich die Geschwindigkeit beim wahlfreien Lesen (Random Read Speed) gegenüber der 512-GB-Version um 38 Prozent auf bis zu 58.000 IOPS erhöht. Die Geschwindigkeit beim wahlfreien Schreiben (Random Write Speed) ist mit bis zu 50.000 IOPS 500 Mal höher als bei einer Hochleistungs-microSD-Karte (100 IOPS). Aufgrund dieser Eigenschaften sollen sehr schnelle Serienaufnahmen mit 960 Bilder pro Sekunde möglich sein.

Samsung plant, die Produktion seiner 512Gb V-NANDs der fünften Generation in seinem Werk in Pyeongtaek, Korea, im Verlauf der ersten Jahreshälfte 2019, weiter auszubauen, um die zu erwartende Nachfrage von Geräteherstellern nach 1-TB-eUFS-Lösungen zu erfüllen.